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Activator 150

Hochtemperaturofen für SiC- und GaN-Annealing sowie Graphenwachstum

Mit dem Activator 150 hat centrotherm einen Hochtemperaturofen speziell für das „Post Implantation Annealing“ von Siliziumcarbid- und Galliumnitrid-Wafern entwickelt. Der Ofen ist in verschiedenen Ausführungen als Labor- oder als Produktionsanlage verfügbar und bietet höchste Prozessflexibilität. Das einzigartige Design der metallfreien centrotherm Heizung erlaubt Temperaturen bis zu 1850°C und somit verkürzte Prozesszeiten. Seine kleine Stellfläche eignet sich in Verbindung mit den geringen Betriebskosten für eine kostenoptimierte Produktion.

    • hohe Aktivierungsrate
    • niedrige Oberflächenrauheit
    • Temperaturen bis 1.850°C
    • Batch-Größen bis zu 50 Wafer (150 mm)
    • Aufheizrate bis zu 150 K/min
    • Erhöhter Silizium-Partialdruck durch SiH4

Prozesse

  • Annealing

Hinweis: Die centrotherm photovoltaics AG behält sich das Recht vor, die angegebenen Produktspezifikationen jederzeit und ohne Ankündigung zu ändern.

  • Activator 150
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